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密度汎関数理論によるGa-P同時ドープBa8Cu6Ge40クラスレート の電子構造の研究
https://socu.repo.nii.ac.jp/records/2000081
https://socu.repo.nii.ac.jp/records/20000815b739f1a-c8c0-43e2-b2e5-dfeb427bc303
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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SU10007000003.pdf (7.9 MB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||||
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| 公開日 | 2024-03-31 | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | 密度汎関数理論によるGa-P同時ドープBa8Cu6Ge40クラスレート の電子構造の研究 | |||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||
| タイトル | Density Functional Theory Study of Electronic Structure of Ga-P Co-Doped Ba8Cu6Ge40 Clathrate | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 著者 |
阿武, 宏明
× 阿武, 宏明
× 橋國, 克明
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| 主題 | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Thermoelectric generation | |||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Phonon Glass and Electron Crystal (PGEC) | |||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Clathrate | |||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Ba8Cu6Ge40 | |||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Electronic structure | |||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Ga-P co-doping | |||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Density functional theory (DFT) | |||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | 熱電発電 | |||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | フォノン・グラス・エレクトロン・クリスタル(PGEC) | |||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||
| 言語 | ja-Kana | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | クラスレート | |||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Ba8Cu6Ge4 | |||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | 電子構造 | |||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | Ga-P同時ドーピング | |||||||||||||
| 主題 | ||||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||
| 主題 | 密度汎関数理論(DFT) | |||||||||||||
| 内容記述 | ||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||||||||||
| 内容記述 | The effect of Ga−P co-doping on the electronic structure has been investigated for p-type clathrate thermoelectric semiconductor Ba8Cu6Ge40 by density functional theory (DFT) to study the possibility of carrier control. In Ba8Cu6Ge40, the Fermi energy EF lies in the valence band, and Ba8Cu6Ge40 is a p-type degenerate semiconductor. For Ga−P, Ga2−P, and Ga3−P co-doping, the EF lies in the conduction band, the energy gap, and the valence band, respectively, indicating that the p/n carrier type and carrier concentration change with the Ga/P ratio. In comparison with Ba8Cu6Ge40, the effect of Ga−P co-doping on the energy dispersion relation at the valence band edge is greater than that at the conduction band edge. Therefore, the effect on the effective mass is greater in the valence band than in the conduction band. | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||
| 出版者 | 山陽小野田市立山口東京理科大学 | |||||||||||||
| 言語 | ja | |||||||||||||
| 出版者 | ||||||||||||||
| 出版者 | Sanyo-Onoda City University | |||||||||||||
| 言語 | en | |||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||
| 資源タイプ識別子（シンプル） | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||
| 資源タイプ（シンプル） | departmental bulletin paper | |||||||||||||
| 出版タイプ | ||||||||||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||||||||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||||||||||
| 書誌情報 |
ja : 山陽小野田市立山口東京理科大学紀要 en : Bulletin of Sanyo-Onoda City University 号 7, p. 21-26, 発行日 2024-03-31 |
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